[发明专利]金属层间通孔的制备和填充方法有效
| 申请号： | 200710094107.7 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399219A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属层间通孔的制备和填充方法，包括：下层金属刻蚀完成之后，淀积第一层金属间隔离电介质，并覆盖下层金属刻蚀时形成的台阶；用化学机械平坦化工艺去除所述下层金属上的金属间隔离电介质；淀积金属铝层；利用通孔光刻版和负性光刻胶光刻，定义出通孔图形的保护层；刻蚀金属铝层，制备出铝塞，作通孔填充；淀积第二层金属间隔离电介质，并覆盖铝塞形成的台阶；用化学机械平坦化工艺去除铝塞上的金属间隔离电介质。本发明的方法用铝塞填充通孔，使金属间的互联工艺的导电性得到较大的提高，同时解决了原有工艺中器件尺寸缩小后铝塞难以实现的问题，可广泛应用于半导体器件的制备过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 层间通孔 制备 填充 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属层间通孔的制备和填充方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)下层金属刻蚀完成之后，淀积第一层金属间隔离电介质，并覆盖下层金属刻蚀时形成的台阶；(2)用化学机械平坦化工艺去除所述下层金属上的金属间隔离电介质；(3)淀积金属铝层；(4)利用通孔光刻版和负性光刻胶光刻，形成通孔图形的保护层；(5)刻蚀金属铝层，制备出铝塞，作通孔填充；(6)淀积第二层金属间隔离电介质，并覆盖铝塞形成的台阶；(7)用化学机械平坦化工艺去除铝塞上的金属间隔离电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
