[发明专利]深槽隔离非晶硅的制备方法有效
| 申请号： | 200710094108.1 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399218A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深槽隔离非晶硅的制备方法，包括在淀积设备中连续进行如下步骤：在深槽上淀积第一层非晶硅；用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；在二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。本发明的方法通过在第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅，缓解第二层非晶硅淀积时所带来的应力，且整个过程在同一淀积设备中连续进行，故整个处理时间相对较短，提高深槽隔离非晶硅工艺的生产能力。本发明的方法适用于半导体制备中深槽隔离非晶硅填充工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 非晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种深槽隔离非晶硅的制备方法，用于将非晶硅填充进深槽中，其特征在于，包括在非晶硅淀积设备中连续进行如下步骤：(1)在深槽上淀积第一层非晶硅；(2)用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；(3)在步骤(2)形成的二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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