[发明专利]形成高压栅氧结构的工艺方法

摘要

本发明公开了一种形成高压栅氧结构的工艺方法，利用该方法所形成的高压栅氧结构对于需要形成两种或以上不同厚度栅氧且膜厚存在明显段差的制程，可以回避在侧墙形成后，由于高压源漏等区域残留栅氧去除过程所引起的低压区域隔离氧化膜过度损失的情况，从而有效减少漏电发生概率。该方法包括：在硅片表面上热氧化一层衬垫二氧化硅膜22；然后，再淀积一层介质膜层23；随后通过一次光刻过程，干法刻蚀去除露出的介质膜层23；去除光刻胶后，采用湿法腐蚀的方法，去除露出的二氧化硅膜22；进行栅极热氧化，形成高压区域栅氧化膜25；采用湿法去除剩余的介质膜层23以及衬垫二氧化硅膜22，最终形成高压栅氧结构。

主权项

1、一种形成高压栅氧结构的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅片表面上热氧化一层衬垫二氧化硅膜(22)；然后，再在所述衬垫二氧化硅膜(22)上淀积一层介质膜层(23)；再在所述介质膜层上涂覆一层光刻胶(24)；(2)在所述光刻胶(24)上形成所需光刻图形，然后干法刻蚀去除露出的介质膜层(23)，然后去除所述光刻胶(24)；(3)采用湿法腐蚀的方法，去除露出的二氧化硅膜(22)；(4)进行栅极热氧化，形成高压区域栅氧化膜(25)；(5)采用湿法去除剩余的介质膜层(23)以及衬垫二氧化硅膜(22)，最终形成高压栅氧结构。