[发明专利]光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法有效
| 申请号： | 200710094242.1 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101441407A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 曾林华;刘鹏;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线宽，其中主介质膜上有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上涂有光刻胶；具体包括如下步骤：(1)根据光刻尺寸偏差计算刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值；(2)根据刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。因为本发明用上述方法改变了光刻尺寸超规格后需要返工作业的工艺流程，经过修正后仍可得到设定的主介质膜线宽，进而可以大幅度增加光刻工艺窗口，减少因光刻线宽超规格的返工，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 尺寸 规格 修正 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线宽，其中所述主介质膜上有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上涂有光刻胶；其特征在于，包括如下步骤：(1)根据所述光刻尺寸偏差计算所述的刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值；(2)根据所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094242.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
