[发明专利]半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置及方法无效
| 申请号： | 200710094246.X | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442017A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 宁开明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，包括：在被检测的工艺设备单元中的硅片上方设置一个信号发射装置和一个信号接收装置，信号发射装置向硅片表面发射入射信号，信号接收装置设置在入射信号经水平硅片反射后的路径上，用于接收入射信号经硅平面反射后的反射信号。本发明还公开了一种基于上述装置的检测方法，包括：信号发射装置向硅片表面发射入射信号；信号接受装置接收反射信号；根据反射信号的强度判断硅片位置是否平衡。本发明实现了半导体器件制备工艺中对硅片位置是否平衡的动态监控，提高了半导体器件制备工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 工艺 硅片 平衡 检测 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置；其特征在于，包括：在被检测的工艺设备单元中的硅片上方设置一个信号发射装置和一个信号接收装置，所述的信号发射装置向所述的硅片表面发射入射信号，所述的信号接收装置设置在所述入射信号经水平硅片反射后的路径上，用于接收所述入射信号经所述硅片表面反射后的反射信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094246.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肺结核病人用杀菌消毒器
- 下一篇：一种治疗颈椎病的药枕
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
