[发明专利]OTP存储器单元及其读取和编程方法无效
| 申请号： | 200710094247.4 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101441889A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OTP存储器单元，其包括两个PMOS晶体管，其中一个PMOS晶体管的栅极为该OTP存储器单元的字线端，该PMOS晶体管的源极为该OTP存储器单元的源极端，该PMOS晶体管的漏区和另一个晶体管的源区共用一个P+区，所述另一个PMOS晶体管的栅极位于浮置状态，所述另一个PMOS晶体管的漏极为该OTP存储器单元的位线端。通过在衬底上加正的电压耦合到浮置的栅极上进行实现一次编程，不需要通过另一个MOS电容进行电压耦合，从而在节省了OTP存储器芯片面积的同时，降低制备成本。本发明还公开了上述OTP存储器单元的读取和编程方法。 | ||
| 搜索关键词： | otp 存储器 单元 及其 读取 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种OTP存储器单元，其特征在于：所述OTP存储器单元包括第一个PMOS晶体管和第二个PMOS晶体管，所述第一个PMOS晶体管的栅极为该OTP存储器单元的字线端，所述第一个PMOS晶体管的源极为该OTP存储器单元的源极端，所述第一个PMOS晶体管的漏区和所述第二个晶体管的源区共用一个P+区，所述第二个PMOS晶体管的栅极位于浮置状态，所述第二个PMOS晶体管的漏极为该OTP存储器单元的位线端。
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