[发明专利]双扩散场效应晶体管制造方法有效
| 申请号： | 200710094292.X | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447429A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/306;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过在衬底上的阱区内刻蚀形成一具有一定深度的沟道，然后再在阱区内进行漂移区离子注入形成漂移区，从而使得所述沟道区比漂移区低，因此改变了漂移区的横向电场分布，大大地提高了晶体管的击穿电压，同时也提高了晶体管的饱和电流，最终使得本发明所述双扩散场效应晶体管的特性获得了较大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双扩散场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底阱区内进行刻蚀形成沟道的工序；对所述硅衬底阱区的位置进行选择性离子注入，形成漂移区的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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