[发明专利]金属互连结构的制备方法无效
| 申请号： | 200710094317.6 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452876A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属互连结构的制备方法，包括：淀积金属层；光刻定义出金属连线的图案；刻蚀至前层介质层，形成金属连线；用光刻胶光刻，使光刻胶覆盖在金属层间互连导线的位置处的金属层上；刻蚀金属层深度为金属层间互连导线的厚度，形成金属层间互连导线；淀积后层介质层；用CMP法研磨后层介质层至金属层间互连导线表面。本发明还提供了一种先刻蚀金属层间互连导线，后刻蚀金属连线的方法，本发明利用两次光刻和刻蚀，将金属连线和金属层间互连导线集成在一个制造过程里，且用同一种金属来实现，故只需要一步CMP研磨，节省了工艺步骤和成本。同时，还可以降低金属连线结构的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属互连结构的制备方法，所述金属互连结构包括金属连线和金属层间互连导线，其特征在于，包括如下步骤：(1)在第一层介质层上淀积Ti层和TiN层，接着淀积金属层，所述金属层的厚度等于金属连线的厚度和金属层间互连导线的厚度之和；(2)用光刻胶光刻，定义出金属连线的图案；(3)依次刻蚀金属层、TiN层和Ti层至第一层介质层表面，形成金属连线；(4)用光刻胶光刻，使光刻胶覆盖在金属层间互连导线的位置处的金属层上；(5)刻蚀没有被光刻胶覆盖的金属层，所述刻蚀深度为金属层间互连导线的厚度，使该部分形成金属连线，而被光刻胶覆盖的金属层部分形成金属层间互连导线；(6)淀积第二层介质层；(7)用CMP法研磨第二层介质层至金属层间互连导线表面。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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