[发明专利]PN结变容管及其品质因数的提取方法无效
| 申请号： | 200710094321.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452968A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L21/329;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PN结变容管，包括P衬底、P衬底表面通过注入N型离子形成的一个N型深阱、N型深阱表面通过注入P型离子形成的一个P阱、及P阱表面通过注入N型离子形成的一个N+区。本发明还公开了一种基于上述PN结变容管结构的品质因数的提取方法。因为本发明将常规PN结变容管物理结构(P+/N阱)改为N+/P阱结构，同时，加入一个新设计的N型深阱结构。这样，变容管的偏压可从N+端加入，但器件的品质因数仍可从无漏电的N+端加以提取，由此，可以有效提高PN结变容管的品质因数提取的精度和效率。 | ||
| 搜索关键词： | pn 结变容管 及其 品质因数 提取 方法 | ||
【主权项】：
1、一种PN结变容管；其特征在于，包括：P衬底、所述P衬底表面通过注入N型离子形成的一个N型深阱、所述N型深阱表面通过注入P型离子形成的一个P阱、及所述P阱表面通过注入N型离子形成的一个N+区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710094321.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于治疗痔疮的药物组合物及其制备方法
- 下一篇：一种干混悬剂及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
