[发明专利]减少半导体器件中衬底电流的方法无效
| 申请号： | 200710094377.8 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452836A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少半导体器件中衬底电流的方法，通过在硅衬底上生长两层外延层，其中第一外延层选用宽禁带半导体材料，第二外延层选用单晶硅，并且所选的宽禁带半导体材料与硅的晶格间具有较好的匹配性，然后通过将器件的PN结形成在所述第一外延层上，从而起到了降低半导体器件中PN结的漏电流的作用，进而降低了衬底电流，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体器件 衬底 电流 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减少半导体器件中衬底电流的方法，其特征在于，包括：首先，在硅衬底上生长第一外延层，且所述第一外延层选用宽禁带半导体材料；然后，在所述第一外延层的上生长第二外延层，且所述第二外延层为单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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