[发明专利]高压晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200710094382.9 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452850A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压晶体管制造方法，通过在淀积了多晶硅栅以后，对硅衬底上的源漏区域进行过刻蚀，从而改变了晶体管的电力线分布，进而提高了晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压晶体管制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成源漏区域的工序；在硅衬底顶部生长栅氧化层和在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅的工序；对所述多晶硅栅进行刻蚀形成栅极，同时对所述栅极两侧的硅衬底进行过刻蚀的工序；在所述栅极两侧形成侧墙的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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