[发明专利]光刻胶掩模图形的显影方法有效
| 申请号： | 200710094405.6 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452225A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 崔彰日 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/26;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻胶掩模图形的显影方法，包括：一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。本发明的优点在于可以提高掩模图形侧壁的平整度，提高光刻工艺的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶掩模 图形 显影 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。
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