[发明专利]微机电系统压力传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 200710094407.5 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101450786A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘蓓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微机电系统压力传感器的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底中形成压力腔开口；在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅与半导体衬底键合；去除衬底硅层至露出埋氧层；在埋氧层上形成氧化硅层；蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口；沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻；在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。本发明还提供一种微机电系统压力传感器。本发明的敏感膜厚度和敏感电阻位置可以精确控制，从而提高压力传感器的灵敏度和线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 压力传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种微机电系统压力传感器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底中形成压力腔开口；在半导体衬底上键合绝缘体上硅基片，形成压力腔，所述绝缘体上硅基片包括顶层硅层、埋氧层和衬底硅层，其中顶层硅与半导体衬底键合；去除衬底硅层至露出埋氧层；在埋氧层上形成氧化硅层；蚀刻氧化硅层和埋氧层至露出顶层硅层，形成与后续敏感电阻位置对应的开口；沿开口向顶层硅层注入离子，形成敏感电阻；在氧化硅层上形成导电层，且导电层填充满开口，形成与敏感电阻连通的电极。
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