[发明专利]晶体管的测试结构无效
| 申请号： | 200710094408.X | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452910A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王炯;宋永梁;李森生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的测试结构，包括：并联在测试晶体管的栅极和衬底之间的电荷储存元件和放电元件，所述电荷储存元件的面积大于所述晶体管的面积。所述电荷储存元件和放电元件作为保护元件，可以阻止静电放电产生的瞬间大电流破坏金属氧化物半导体晶体管的薄栅极氧化层、甚至击穿其栅极而造成永久性破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 测试 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种晶体管的测试结构，其特征在于，包括：并联在测试晶体管的栅极和衬底之间的电荷储存元件和放电元件，所述电荷储存元件的面积大于所述测试晶体管的面积。
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