[发明专利]电荷囚禁器件的制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种电荷囚禁器件的制作工艺方法，在硅衬底的上端面淀积一层牺牲氮化硅层；成长一层用于形成侧墙的氧化膜；在所述牺牲氮化硅层的两侧形成侧墙；去除所述的牺牲氮化硅层，保留其两侧的侧墙，作为制作选择管和存储管的介质隔离层；在所述硅衬底和介质隔离层的表面，成长ONO膜；将用于形成选择管栅氧化层位置的硅衬底端面上的ONO膜刻蚀掉；淀积选择管的栅氧化层；生长一层多晶硅，并对所述多晶硅进行刻蚀，形成选择管和存储管。本发明可以有效减少选择管和存储管之间的距离，而且容易控制多晶硅栅极的尺寸，有利于提高闪存器件的集成度。

主权项

1、一种电荷囚禁器件的制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤301，在硅衬底的上端面淀积一层牺牲氮化硅层；步骤302，在所述硅衬底和牺牲氮化硅层的表面成长一层用于形成侧墙的氧化膜；步骤303，去除所述牺牲氮化硅层顶部和硅衬底两侧多余的氧化膜，在所述牺牲氮化硅层的两侧形成侧墙；步骤304，去除所述的牺牲氮化硅层，保留其两侧的侧墙，作为制作选择管和存储管的介质隔离层；步骤305，在所述硅衬底和介质隔离层的表面，成长由位于下层的隧道氧化层、位于中间位置的氮化膜、和位于上层的氧化膜组成的ONO膜，所述三层膜相互接触；步骤306，将用于形成选择管栅氧化层位置的硅衬底端面上的ONO膜刻蚀掉；步骤307，在形成选择管位置的硅衬底上端面淀积一层氧化层，作为选择管的栅氧化层；步骤308，在所述栅氧化层和ONO膜上生长一层多晶硅，该多晶硅层应包覆所述两个介质隔离层；步骤309，对所述多晶硅进行刻蚀，形成选择管和存储管。