[发明专利]降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法有效
| 申请号： | 200710094443.1 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458462A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王雷;黄玮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G03F7/32;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，在硬烘之后还包括一显影清洗工艺。显影清洗工艺可以通过光刻设备的导轨设备系统来实现，也可以通过湿法清洗设备来实现。本发明的方法使硅片中光刻显影缺陷显著降低，提高成品率，适用于所有用到光刻显影的工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 制造 光刻 显影 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法，该光刻显影方法包括在硅片上涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、硬烘及测量，其特征在于：在硬烘之后还包括一显影清洗工艺。
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