[发明专利]双层多晶硅自对准栅结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种双层多晶硅自对准栅的制备方法，包括：先制备并刻蚀出双层多晶硅栅；后抗反射材料填充双层多晶硅栅所形成的台阶；再光刻定义位置，并去除曝光后露出的上层多晶硅栅上的抗反射材料；最后刻蚀上层多晶硅栅和介质层。本发明的制备方法在常见的双层多晶硅自对准栅的生成方法中引入抗反射层填充技术，将抗反射层作为保护层在刻蚀中对基板或场区进行保护，适用于双层多晶硅自对准栅结构的制备中。

主权项

1、一种半导体器件的自对准栅结构的制备方法，所述半导体器件包括双层多晶硅栅区域和单层多晶硅栅区域，所述双层多晶硅栅区域中的双层多晶硅栅包括下层多晶硅栅和上层多晶硅栅，其特征在于，该方法的制备步骤为：(1)在硅基板的栅氧化层上淀积多晶硅，光刻和刻蚀，形成双层多晶硅栅的下层多晶硅栅，并去除单层多晶硅栅区域的多晶硅，所述硅基板上定义有隔离氧化区；(2)在下层多晶硅栅上淀积介质层；(3)上层多晶硅栅的淀积，后进行自对准栅的光刻和刻蚀，刻蚀形成多晶硅栅区域的栅；(4)抗反射材料填充完全覆盖双层多晶硅栅所形成的台阶，至上层多晶硅和单层多晶硅栅上有一定厚度；(5)用光刻胶光刻，定义出单层多晶硅栅区域的栅和双层多晶硅栅区域的下层多晶硅栅与接触孔的接触位置；(6)利用上述步骤形成的掩膜层进行刻蚀，先去除上层多晶硅栅上曝光后露出的抗反射材料，且追加一定程度的过刻蚀，通过过刻率控制；后刻蚀上层多晶硅栅和介质层，形成下层多晶硅栅与接触孔的接触位置，同时刻蚀形成单层多晶硅区域的栅，最后去除抗反射材料和光刻胶。