[发明专利]布局、光掩模版的制作及图形化方法有效
| 申请号： | 200710094457.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458442A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘庆炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种布局方法，包括：将光掩模版分成若干区域，所述每个区域包含掩模版主要图形和掩模版虚拟图形，其中各区域的图形密集度不同；将光掩模版上的各区域的掩模版主要图形和掩模版虚拟图形转移至控片上，形成控片主要图形和控片虚拟图形；测量各区域的控片主要图形的临界尺寸，以最密集区的控片主要图形的临界尺寸为目标尺寸，将其它区域的控片主要图形临界尺寸与之相减，得到对应的差值量；在后续修正转移至晶圆上的布局线路图形时，增大非最密集区的布局线路图形的临界尺寸，形成修正后布局线路图形，增大量为所述差值量。本发明还提供光掩模版制作和图形化方法。本发明转移至晶圆上的不同密集度区域的相同线路图形临界尺寸一致。 | ||
| 搜索关键词： | 布局 模版 制作 图形 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种布局方法，其特征在于，包括：将光掩模版分成若干区域，所述每个区域包含掩模版主要图形和掩模版虚拟图形，其中各区域的图形密集度不同；将光掩模版上的各区域的掩模版主要图形和掩模版虚拟图形转移至控片上，形成控片主要图形和控片虚拟图形；测量各区域的控片主要图形的临界尺寸，以最密集区的控片主要图形的临界尺寸为目标尺寸，将其它区域的控片主要图形临界尺寸与之相减，得到对应的差值量；在后续修正转移至晶圆上的布局线路图形时，增大非最密集区的布局线路图形的临界尺寸，形成修正后布局线路图形，增大量为所述差值量。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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