[发明专利]测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法有效
| 申请号： | 200710094460.5 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459094A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 范建国;蔡丹华;季峰强;刘培芳;董智刚;徐皓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法，包括下列步骤：提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接收反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；比较入射前偏振光与反射后偏振光的偏振状态变化，获得半球形颗粒多晶硅层的厚度。本发明能精确测量出半球形颗粒多晶硅层的厚度，由于半球形颗粒多晶硅层的厚度与最终的电性参数有很强的相关性，因此能使后续的电性容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 半球形 颗粒 多晶 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种测量半球形颗粒多晶硅层厚度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供带有半球形颗粒多晶硅层的半导体衬底；椭圆偏振光入射至半球形颗粒多晶硅层，在半球形颗粒多晶硅层中经过反射透射后，接收反射出半球形颗粒多晶硅层最高点表面的线偏振光；比较入射前偏振光与反射后偏振光的偏振状态变化，获得半球形颗粒多晶硅层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
