[发明专利]形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法无效
| 申请号： | 200710094465.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459107A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈海华;韩秋华;张海洋;刘乒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成浅沟槽隔离结构方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；去除光刻胶层和抗反射层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽；去除第一掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种刻蚀方法。本发明在刻蚀时腐蚀阻挡层由第一掩膜层保护，厚度不变化，提高了隔离结构的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 结构 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成浅沟槽隔离结构方法，其特征在于，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；去除光刻胶层和抗反射层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽；去除第一掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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