[发明专利]MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710094476.6 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459082A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管，包括：半导体衬底中、栅极结构两侧的低掺杂源/漏延伸区；位于栅极结构两侧半导体衬底之上的侧墙；位于栅极结构两侧半导体衬底中的重掺杂源/漏区、位于栅极结构两侧半导体衬底中的袋状区和掺杂F离子区域，所述掺杂F离子区域位于袋状区周围。本发明还提供了该MOS晶体管的形成方法。本发明通过在MOS晶体管的袋状区周围形成掺杂F离子区域，可以抑制袋状区的离子向半导体衬底中的瞬态增强扩散效应，减小结深，降低结漏电流，提高MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有栅极结构的半导体衬底；在栅极结构两侧半导体衬底中形成袋状区和掺杂F离子区域，所述掺杂F离子区域位于袋状区的周围；在半导体衬底上、栅极结构两侧形成侧墙；在半导体衬底中、栅极结构两侧形成重掺杂源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
