[发明专利]减小SRAM阱邻近效应的方法有效
| 申请号： | 200710094484.0 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458720A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 黄艳;李家豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种减小SRAM阱邻近效应的方法，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。所述减小SRAM阱邻近效应的方法较直观并且效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 sram 邻近 效应 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种减小SRAM阱邻近效应的方法，其特征在于，包括下列步骤，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。
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