[发明专利]物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法有效
| 申请号： | 200710094497.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458150A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;苏娜;胡宇慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/40 | 分类号： | G01M3/40;G01M3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，包括：运行第一控片，所述第一控片的运行时间大于或等于检测反应时间；对第二控片执行物理气相淀积操作；检测所述第二控片的阻值；所述第二控片的阻值符合检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性符合产品要求；所述第二控片的阻值大于检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性不符合产品要求。可及时地检测出所述物理气相淀积沉积腔室开始运行后发生的异常，利于及时排障，以减少所述物理气相淀积沉积腔室处于异常状态时生产产品的数量，且不改变所述物理气相淀积沉积腔室内的环境。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 气相淀积 沉积 气密性 检测 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，其特征在于，包括：运行第一控片，所述第一控片的运行时间大于或等于检测反应时间；对第二控片执行物理气相淀积操作；检测所述第二控片的阻值；所述第二控片的阻值符合检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性符合产品要求；所述第二控片的阻值大于检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性不符合产品要求。
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