[发明专利]半导体基底清洗方法有效
| 申请号： | 200710094525.6 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459038A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;朴松源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体基底清洗方法，包括：旋转半导体基底；在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中，逐级减小所述半导体基底的转速；利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底可获得清洁的所述半导体基底表面，增强清洗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体基底清洗方法，其特征在于，包括：旋转半导体基底；在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中，逐级减小所述半导体基底的转速；利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
