[发明专利]套刻精度的控制方法和装置有效
| 申请号： | 200710094528.X | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458456A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种套刻精度的控制方法和装置，所述套刻精度的控制方法包括：获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前层光刻工艺的光刻工艺条件、计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值；根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光刻工艺。所述套刻精度的控制方法和装置可以减小晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，从而精确地控制套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 精度 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种套刻精度的控制方法，其特征在于，包括：获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前层光刻工艺的光刻工艺条件和计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值；根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光刻工艺。
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