[发明专利]等离子体刻蚀的终点监测方法有效
| 申请号： | 200710094531.1 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459039A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘乒;张世谋;杜珊珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀的终点监测方法，在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包含所述刻蚀剂中包含的元素；监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的斜率为0时，即为刻蚀终点。这种终点判断方法可以准确的控制等离子体刻蚀的刻蚀终点，适合65nm及其以下半导体制作工艺中对于等离子体刻蚀工艺刻蚀终点的精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 终点 监测 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子体刻蚀的终点监测方法，其特征在于，包括：在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包含所述刻蚀剂中包含的元素；监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的斜率为0时，即为刻蚀终点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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