[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710096136.7 申请日: 2007-04-13
公开(公告)号: CN101055857A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 井田彻 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体器件具备;具有贯通孔的半导体衬底;在半导体衬底的第一面上设置成覆盖贯通孔的电极焊盘;设置在半导体衬底的第二面的外部连接用端子;用于通过贯通孔并使电极焊盘与外部连接用端子导通的导电布线;设置在半导体衬底的第一面上的第一绝缘膜;以及设置在半导体衬底的第二面上和贯通孔内部的表面上使得导电布线与半导体衬底绝缘的第二绝缘膜,导电布线经连接用开口与电极焊盘连接,该连接用开口形成在从垂直于半导体衬底的第一面的方向看、设置成与贯通孔底面至少部分重叠的第一绝缘膜和第二绝缘膜的至少一方中,其中,连接用开口形成为不到达贯通孔的底面的外周。由此,可提供使用了可靠性高的贯通电极的半导体器件及其制造方法。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其具备:半导体衬底(1),具有贯通两面而形成的贯通孔;电极焊盘(3),在所述半导体衬底(1)的第一面上设置成覆盖贯通孔;外部连接用端子(7),设置在所述半导体衬底(1)的第二面上;导电布线(6),通过所述贯通孔并用于使电极焊盘(3)与外部连接用端子(7)导通;第一绝缘膜(2),设置在半导体衬底(1)的第一面上,使得所述电极焊盘(3)与所述半导体衬底(1)绝缘;以及第二绝缘膜(5),设置在半导体衬底(1)的第二面上和贯通孔内部的表面上,使得所述导电布线(6)与所述半导体衬底(1)绝缘,所述导电布线(6)经连接用开口与电极焊盘(3)连接,该连接用开口形成在从垂直于所述半导体衬底(1)的第一面的方向看、设置成与所述贯通孔底面至少部分重叠的第一绝缘膜(2)和第二绝缘膜(5)的至少一方中,其特征在于:所述连接用开口形成为不到达贯通孔的底面的外周。
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