[发明专利]光刻设备和制造装置的方法无效
| 申请号： | 200710096549.5 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055427A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | M·H·A·利德斯;M·里彭;M·A·博斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘杰;王小衡 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种浸渍光刻曝光设备，其中浸渍液体顶部涂层的pH值选择为最大化部分液体供给系统和衬底W彼此相对运动的相对速度而不毁坏在这些部件之间延伸的弯月面。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻设备，包括：用于将衬底曝光于穿过浸渍液体的辐射束的浸渍光刻曝光设备，其中所述浸渍液体pH值在所述浸渍液体位于所述衬底表面上ζ电势为零时所述浸渍液体pH值2以内。
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