[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710096954.7 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101060132A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 久永幸博 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/38 | 分类号： | H01L29/38;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在传统的半导体器件中，绝缘膜被形成在超级结结构的p型半导体区和n型半导体区之间，由此防止两个区之间的杂质的相互扩散。用于制造具有这样的构造的半导体器件的制造工艺很复杂。本发明的半导体器件包括超级结结构，在该超级结结构中，沿至少一个方向重复布置成对的半导体区，所述成对的半导体区包括p型半导体区和n型半导体区，其中，至少沿所述的方向重复布置Si1－x－yGexCy(0≤x＜1，0＜y＜1，0＜1－x－y＜1)晶体区，形成所述p型半导体区或者所述n型半导体区的Si晶体区布置在一对所述Si1－x－yGexCy晶体区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：超级结结构，其中沿至少一个方向重复布置成对的半导体区，所述成对的半导体区包括p型半导体区和n型半导体区，其中，至少沿所述的方向重复布置Si1-x-yGexCy(0≤x＜1，0＜y＜1，0＜1-x-y＜1)晶体区，形成所述p型半导体区或者所述n型半导体区的一方的Si晶体区布置在一对所述Si1-x-yGexCy晶体区之间。
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