[发明专利]在半导体工艺中形成亚光刻开口的方法

摘要

在第一材料第一层中形成亚光刻开口的第一方法，开始于在第一层上产生其位于所需亚光刻开口位置上的光刻开口。从光刻开口部分去除第一层中的第一材料。共形淀积与第一层相同材料的牺牲层以适合第一层的外形，包括在光刻开口上。各向异性地蚀刻所得的结构以蚀刻牺牲层和第一层在光刻开口内形成亚光刻开口。形成亚光刻开口的第二方法是淀积例如多晶硅的牺牲层。在牺牲层中产生其位于所需亚光刻开口位置上的光刻开口。从光刻开口去除牺牲材料。通过把牺牲材料转化为第二牺牲材料，牺牲材料横向扩展，由此把光刻开口的尺寸减小到亚光刻开口。这可以通过把牺牲多晶硅转化为二氧化硅来实现。可以将转化的二氧化硅用作掩模层蚀刻下面的层。

主权项

1.一种在半导体工艺中在第一材料第一层中形成亚光刻开口的方法，所述方法包括：在所述第一层上淀积第一牺牲材料牺牲层；在所述牺牲层上产生光刻开口，所述光刻开口位于所需亚光刻开口位置上方；去除所述光刻开口中的所述第一牺牲材料；通过把所述第一牺牲材料转化为第二牺牲材料使所述第一牺牲材料在横向上扩展，由此把所述光刻开口的尺寸减小到亚光刻开口；和使用所述第二牺牲材料作为掩模层蚀刻所述第一层，以在所述第一层中形成所述亚光刻开口。