[发明专利]薄膜型电子源无效
| 申请号： | 200710097045.5 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101055824A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 岩崎富生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J1/312 | 分类号： | H01J1/312;H01J29/04;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种耐热性高的薄膜型电子源。在包括衬底、在上述衬底的一个主表面一侧形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极的薄膜电子源中，上述上部电极为第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的层积结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电子 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜型电子源，其特征在于：包括衬底、上述衬底的一个主表面一侧上形成的下部电极、与上述下部电极相接触地形成的绝缘层、以及与上述绝缘层相接触地形成的上部电极，上述上部电极是从上述绝缘层侧层积第1基础层、第2基础层、中间层、表面层的结构，上述第1基础层以IrO2或RuO2作为主要构成材料，上述第2基础层以Ir或Ru作为主要构成材料，上述中间层以从PtIr、PtRu、PtRh的组中选择的一种作为主要构成材料，上述表面层以从Au、Ag的组中选择的一种作为主要构成材料。
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