[发明专利]用作集成电路器件熔丝的钨插塞无效
| 申请号： | 200710097215.X | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101064298A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 林超 | 申请（专利权）人： | 美国凹凸微系有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种介质层中用于集成电路微调的熔丝电路。该熔丝电路有一个第一导电层、一个第二导电层和一个第三导电层。第一导电层和第二导电层之间连接了一个第一金属插塞。第一导电层和第三导电层之间连接了至少一个金属插塞。这样，通过第一金属插塞、第一导电层和至少一个金属插塞在第二导电层和第三导电层之间形成一个导通路径。通过对第一金属插塞供给电流可切断该导通路径。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 集成电路 器件 钨插塞 | ||
【主权项】：
1.一种介质层中的用于集成电路(IC)微调的熔丝电路，其包括：一个第一导电层；一个第二导电层；一个第三导电层；一个第一金属插塞，其连接在所述第一导电层和第二导电层之间；至少一个金属插塞，其连接在所述第一导电层和第三导电层之间，其中通过所述第一金属插塞、所述第一导电层、和所述至少一个金属插塞在所述第二导电层和所述第三导电层之间形成第一导通路径，并且通过把预定电流提供给所述第一导通路径来损毁所述第一金属插塞可切断所述导通路径。
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