[发明专利]一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶体管器件的源漏与衬底相连接，可以实现大扇出的深的源漏结，有效降低寄生电阻，可以完全体现硅纳米线结构的特性优势，工艺可控性强，且与传统的工艺技术相兼容。与SOI(Silicon on Insulator)硅片比较，还可以有效降低工艺制作成本。

主权项

1、一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，包括：1)进行浅槽隔离；2)淀积硬掩膜；3)光刻、定义纳米线，其宽度为后续形成器件的沟道区宽度；4)刻蚀硬掩膜；5)淀积氧化层刻蚀形成侧墙，进行源漏注入；6)淀积厚氧化层；7)光刻槽结构，宽度定义后续形成纳米线器件的沟道长度；8)刻蚀氧化层，再以前面形成的硬掩膜作为阻挡层，刻蚀硅，其厚度决定后续形成沟道线条的高度；9)继续刻蚀硅衬底，其高度决定纳米线器件底栅高度；10)各项同性腐蚀，去除所述的硬掩膜和侧墙；11)形成栅氧化层，淀积多晶硅，栅注入；12)平坦化，退火激活杂质；13)采用常规CMOS工艺完成后续流程，完成器件制备。