[发明专利]提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构无效
| 申请号： | 200710099141.3 | 申请日： | 2007-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101308888A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金灿;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上，其作用是屏蔽来自衬底的缺陷和使生长平面平整；一量子阱层制作在缓冲层上面，以生长时产生应力弛豫，并将这一应力弛豫导入其上面的量子点层，使浸润层厚度减小；一势垒层制作在量子阱层上面，该势垒层对量子点层中的载流子起限制作用，防止其由于热激发跃迁而导致的量子点材料光学性质温度稳定性的下降；一量子点层制作在势垒层上面，该量子点层受激发时产生电子—空穴对，辐射复合发光；一盖层制作在量子点层上面，该盖层的作用是改变量子点的光学性质，增大其基态和激发态的能级间距。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 组织 量子 光学 性质 温度 稳定性 材料 结构 | ||
【主权项】：
1、一种提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上面，该缓冲层的作用是屏蔽来自衬底的缺陷和使生长平面平整；一量子阱层，该量子阱层制作在缓冲层上面，该量子阱层在势垒层上生长时产生应力弛豫，并将这一应力弛豫导入其上面的量子点层，使浸润层厚度减小；一势垒层，该势垒层制作在量子阱层上面，该势垒层对量子点层中的载流子起限制作用，防止其由于热激发跃迁而导致的量子点材料光学性质温度稳定性的下降；一量子点层，该量子点层制作在势垒层上面，该量子点层受激发时产生电子-空穴对，辐射复合发光；一盖层，该盖层制作在量子点层上面，该盖层的作用是改变量子点的光学性质，增大其基态和激发态的能级间距。
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