[发明专利]提高半导体型碳纳米管发光效率的方法有效
| 申请号： | 200710099289.7 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308889A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谭平恒;张俊;李桂荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 半导体 纳米 发光 效率 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710099289.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于网页的互译翻译对抽取方法及装置
- 下一篇：衣物处理装置及其控制方法
