[发明专利]一种制作电阻随机存储单元阵列的方法

摘要

本发明公开了一种制作电阻随机存储单元阵列的方法，该方法具体为：在缺氧的条件下对制备出的PCMO薄膜进行退火处理，原位溅射金属薄膜保护层，在样品表面利用紫外光刻得到底电极总线图形，用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层，用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜，用氩离子刻蚀底层电极金属层，刻出底电极总线，用有机溶剂除去光刻胶，再次涂光刻胶套刻出存储单元图形，并刻出存储单元，沉积绝缘材料，用有机溶液去除光刻胶，再次在原有图形的基础上套刻出顶电极总线图形，溅射顶电极金属薄膜，去除光刻胶，形成顶电极总线。本方法包括溅射金属保护层、制作上下电极总线、选择合适的刻蚀溶液湿法刻蚀存储单元等。该方法可制作PCMO微结构的存储单元阵列。

主权项

1.一种制作电阻随机存储单元阵列的方法，其具体步骤为：(1)已知技术在底电极金属层表面制备出PCMO薄膜后，首先在缺氧的条件下对其进行退火处理，然后原位溅射金属薄膜保护层；(2)在样品表面涂上光刻胶，然后前烘、紫外曝光、显影、定影、后烘，转移底电极总线图形；(3)用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层；(4)用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜；(5)用氩离子刻蚀底层电极金属层，刻出底电极总线；(6)用丙酮或其他有机溶剂除去光刻胶，并再次涂光刻胶套刻出存储单元图形，并重复步骤3、4，刻出存储单元；(7)沉积绝缘材料，绝缘材料的厚度略大于PCMO薄膜和底电极金属层厚度的和；(8)用丙酮或其他有机溶液去除光刻胶；(9)再在表面涂上光刻胶，在原有图形的基础上套刻出预电极总线图形；(10)溅射顶电极金属薄膜，顶电极金属薄膜的材料可以是Pt、Ag、Au中的一种，薄膜厚度约100nm；(11)重复步骤8，去除光刻胶，形成顶电极总线。