[发明专利]制备单质钨膜的方法有效
| 申请号： | 200710100161.8 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101319304A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王海斗;徐滨士;庄大明;张弓;刘家浚;李国禄;朱丽娜;康嘉杰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100072北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备单质钨膜的方法，其包括以下工艺：将基体加热至100～150℃；然后在磁控溅射设备中，氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜。由本发明方法制备的单质钨膜纳米力学性能均匀优异，纳米硬度是钨块硬度的三倍以上，组织紧密，分布均匀，防护性能良好且钨膜晶粒较细，具有较多的晶界，与基体结合良好，从而更有利于进一步渗硫处理时得到WS2固体润滑薄膜，本发明所述磁控溅射方法操作简便，技术可靠，可适用广泛的薄膜制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单质 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备单质钨膜的方法，其特征在于，包括以下工艺：将基体加热至100～150℃；然后在磁控溅射设备中，氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜。
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