[发明专利]一种薄膜晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200710100342.0 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101320737A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 薛建设;林承武;梁珂 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管结构，包括：基板，形成在所述基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源漏电极、钝化层和像素电极，其中像素电极同源漏电极的漏极端相连接，其中在掺杂半导体层上部及所述源漏电极的下方设置有8－15nm的SiNx或者SiOxNy层；源漏电极的材料为铝合金，包括两元铝合金和多元铝合金。本发明同时公开了该薄膜晶体管的制造方法，包括：在掺杂半导体层上部和源漏电极的下方形成8－15nm的SiNx或者SiOxNy层。本发明通过变更源漏电极的结构及其制造方法，克服源漏电极断线缺陷，并同时提高产能，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管结构，包括：基板，形成在所述基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源漏电极、钝化层和像素电极，其中像素电极同源漏电极的漏极端相连接，其特征在于：在所述掺杂半导体层上部及所述源漏电极的下方设置有SiNx或者SiOxNy层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
