[发明专利]具有真空侧壁子的相变存储单元有效
| 申请号： | 200710100818.0 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101060161A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器单元包含：第一电极和第二电极构件，在衬底上相互分离；相变元件，与该第一电极和第二电极构件电性接触且连接分离两者间的空间。此相变元件包含两个区段，每一段与该电极构件中的一个接触。这两个区段在两电极之间的一个位置处相连，使得该相连位置有着小于该相变元件其余部分的横截面积。该电极、该衬底和该相变元件定义一个气室。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 真空 侧壁 相变 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种存储器单元，包含：第一电极和第二电极构件，其在衬底上相互分离；相变元件，其与所述第一电极和第二电极构件电性接触且连接分离两者间的空间，其中：所述相变元件包含两个区段，每一段与所述电极构件中的一个接触，并在所述两个电极之间的一个位置处相连，使得所述相连位置有着小于所述相变元件其余部分的横截面积；以及所述电极、所述衬底和所述相变元件定义一个气室。
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