[发明专利]半导体封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710100856.6 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101170088A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构，包括：基板层，其成分包括合金42材料；晶粒，附着于基板层的第一侧面上；及互连线结构，位于晶粒上，其中互连线结构包括插塞及连接晶粒的导线。本发明的优点在于合金42材料和半导体晶粒有近似的热膨胀系数，因此由封装体施加给晶粒的应力可以减少。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，包括：第一基板层，其成分包括合金42材料；晶粒，附着于该第一基板层的第一侧面上；及互连线结构，位于该晶粒上，其中该互连线结构包括插塞及连接该晶粒的导线。
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