[发明专利]氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200710100895.6 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101064410A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;川口佳伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体发光元件，在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜，其特征在于，上述光出射部由氮化物半导体构成，上述涂层膜由铝的氮氧化物膜或铝的氮化物膜构成，所述反射率调整膜由氧化物膜构成。
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