[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上中间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空间。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空间。

主权项

1.一种半导体装置，至少包括：衬底；在所述衬底上形成的具有沟道形成区域的岛状半导体膜；覆盖所述岛状半导体膜，且在比所述岛状半导体膜的侧面外侧的区域中具有其侧面的栅绝缘膜；以及中间夹所述栅绝缘膜且覆盖所述沟道形成区域的导电膜，其中，所述岛状半导体膜的侧面不接触于所述栅绝缘膜以及所述导电膜。