[发明专利]位移传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710101037.3 | 申请日： | 2007-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101059530A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吉川良一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;G01P9/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微机械，包括由导体形成的活动部分和由导体形成的支撑部分，其中活动部分和支撑部分彼此分隔，绝缘层设置在导体上，导电层设置在绝缘层上，并且导电层形成为跨过活动部分和支撑部分。本发明还提供了一种位移传感器及其制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 位移 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微机械，包括：由导体形成的可动部分；和由导体形成的支撑部分，其中该可动部分和该支撑部分彼此分隔，绝缘层提供在该导体上，导电层提供在该绝缘层上，并且该导电层形成为跨过该可动部分和该支撑部分。
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