[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710101059.X | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101127347A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 副岛康志;栗田洋一郎;川野连也;山道新太郎;菊池克 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上，形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比，粘合金属膜具有与树脂膜的更强的粘合性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：绝缘膜；配置在所述绝缘膜中的导电部件；第一电子电路组件，其配置在所述绝缘膜的第一表面侧上，并且通过第一焊料电连接到所述导电部件；第二电子电路组件，其配置在所述绝缘膜的与所述第一表面侧相对的第二表面侧上，并且通过第二焊料电连接到所述导电部件；第一扩散阻挡金属膜，其配置在所述导电部件和所述第一焊料之间，且防止所述第一焊料的扩散；第二扩散阻挡金属膜，其构成至少部分所述导电部件，且防止所述第二焊料的扩散；以及粘合金属膜，其配置在所述绝缘膜的所述第一表面上以及所述导电部件上，与所述绝缘膜以及所述导电部件相接触，与所述第一焊料与所述绝缘膜的粘合性以及所述第一扩散阻挡金属膜与所述绝缘膜的粘合性相比，所述粘合金属膜具有与所述绝缘膜的更强的粘合性。
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