[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200710101060.2 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101295679A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 施智仁;叶文钧;何明徹;杨文琪 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供一基板，并形成一非晶硅层于基板上；用一激光退火照射基板的非晶硅层的部分区域进行侧向长晶，以形成多个多晶硅区域；对基板进行表面氧化层处理；以及对基板实施一全面性激光退火照射。本发明可以提高元件的均匀度，并可消除第二次激光对元件所造成的栅极电压(Vth)偏差效应，亦可增进多晶硅(p－Si)与绝缘层(Insulator)的界面稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包含：(a)提供一基板，形成一非晶硅层于该基板上；(b)于(a)步骤后，用一激光退火照射该基板的该非晶硅层的部分区域进行侧向长晶，以形成多个多晶硅区域；(c)于(b)步骤后，对该基板进行表面氧化层处理；以及(d)于(c)步骤后，对该基板实施一全面性激光退火照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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