[发明专利]背照式传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 200710101189.3 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101071818A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 许慈轩;杨敦年 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种背照式传感器，包括：具有正面与背面的半导体基板；形成于该半导体基板的该正面上的多个像素；置于该半导体基板的该正面上方的介电层；以及根据该多个像素而配置的多个阵列区域。其中，至少第一、第二阵列区域具有彼此相异的辐射响应特性，例如，该第一阵列区域的结深大于该第二阵列区域的结深，或是该第一阵列区域的掺杂物浓度大于该第二阵列区域的掺杂物浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背照式传感器，包括：半导体基板，具有正面与背面；多个像素，形成于该半导体基板的该正面上；介电层，置于该半导体基板的该正面上方；以及多个阵列区域，根据该多个像素而配置，其中至少两个该阵列区域具有彼此相异的辐射响应特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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