[发明专利]单栅非易失性快闪存储单元无效
| 申请号： | 200710101654.3 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101051653A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | B·陈;Y·W·胡;D·李 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有单多晶硅栅、与常规的逻辑工艺相兼容的非易失性浮栅存储单元包括第一导电类型的衬底。第二导电类型的第一和第二区域在该衬底中，彼此间隔开以限定其间的沟道区域。第一栅与该衬底绝缘且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上，并且与其充分电容性耦接。第二栅与该衬底绝缘，且与该第一栅间隔开，并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 单栅非易失性快 闪存 单元 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性浮栅存储单元，包括：第一导电类型的衬底；在所述衬底中的第二导电类型的第一和第二区域，彼此间隔开，限定在其间的沟道区域；第一栅，其与所述衬底绝缘，并且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上且与其充分电容性耦接；以及第二栅，其与所述衬底绝缘，与第一栅间隔开并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术公司，未经硅存储技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710101654.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
