[发明专利]在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710101779.6 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101074477A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·希里罗夫;谢尔盖·马雷舍夫;亚历山大·霍赫洛夫;艾拉特·希萨莫夫;米卡莱·莱乌胡克 | 申请（专利权）人： | 弗拉基米尔·希里罗夫;谢尔盖·马雷舍夫;亚历山大·霍赫洛夫;艾拉特·希萨莫夫;米卡莱·莱乌胡克 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 白俄罗*** | 国省代码： | 白俄罗斯;BY |
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| 摘要： | 在真空中涂覆化硅薄膜的方法及其实施例涉及涂覆氮化硅薄膜的领域，并能用于在真空中封装薄膜OLED结构(有机发光二极管)。根据第一实施例，其中向真空箱中馈送工作气体的混合物：氮气和氩气，从至少一个离子源形成离子束；由定向离子束溅射硅靶，并通过扫描衬底的表面溅射材料分层沉积到衬底上，相对于衬底离子束源作相对运动；而且，在离子源与靶相对于衬底的相对运动的每个循环，形成厚度在2－10纳米范围内的至少一层，及向工作气体的混合物中引入氦气。请求保护的方法及其实施例确保了薄膜结构的高密封度，提高了薄膜的密度，减小了薄膜的孔隙率和薄膜中的内部应力，降低了在衬底表面涂覆薄膜涂层的过程中衬底的温度，因此确保了薄膜涂层的高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 空中 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、在真空中向固定放置的衬底上涂覆氮化硅薄膜的方法，其中向真空箱中馈送工作气体的混合物：氮气和氩气，从至少一个离子源形成离子束，由定向离子束溅射硅靶，并通过扫描衬底的表面溅射材料分层沉积到衬底上；而且，离子源与靶共同相对于衬底作相对运动，其特征在于在离子源相对于衬底的相对运动的每个循环，形成厚度在2-10纳米范围内的至少一层，及在工作气体的混合物中引入氦气。
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