[发明专利]用于编程快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710101881.6 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101154451A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇;蒲迈文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于编程快闪存储器件的方法，包括：将编程偏压施加到存储单元串列中多个存储单元中的存储单元，每个存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线；将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个存储单元；以及将第二通过偏压施加到在相对于已施加有该第一通过偏压的存储单元的漏极选择线方向上的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程快闪存储器件的方法，该方法包括：将编程偏压施加到存储单元串列中的存储单元，该存储单元串列包括源极选择线、多个存储单元、以及漏极选择线，其中该多个存储单元以串联方式配置于在一端的源极选择线与在相对端的漏极选择线之间；将第一通过偏压施加到在相对于已施加有该编程偏压的存储单元的源极选择线方向上的至少一个存储单元；以及将第二通过偏压施加到在相对于已施加有该第一通过偏压的至少一个存储单元的漏极选择线方向上的存储单元。
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