[发明专利]使用单一接触结构的桥路电阻随机存取存储元件及方法有效
| 申请号： | 200710102190.8 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101071844A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L43/08;H01L27/24;H01L27/22;H01L21/82;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种桥路结构中的电阻随机存取存储器，其包括接触结构，其中第一与第二电极位于接触结构中。第一电极具有周边延伸的形状(例如环形)，其围绕接触结构的内壁。第二电极位于该周边延伸形状内，并以绝缘材料而与第一电极分隔开。电阻存储桥路与第一和第二电极的边缘表面接触。接触结构中的第一电极连接至晶体管，且接触结构中的第二电极连接至位线。位线通过自对准工艺而连接到第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 单一 接触 结构 电阻 随机存取 存储 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储元件，包括：第一电极，其具有内侧范围，该第一电极具有边缘表面；第二电极，其与该第一电极分离并位于该内侧范围内，该第二电极具有边缘表面；绝缘材料，其隔离该第一与第二电极；以及存储材料，其与该第一电极的该边缘表面与该第二电极的该边缘表面接触。
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